Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung sprengt die Grenzen bezüglich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer, die für bisherige, planare NAND-Architektur gelten. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitiger Flächenersparnis ermöglicht.

Samsung EVO 850 250GB SSD kaufen

Produkteigenschaften

Allgemein

Gerätetyp: Solid-State-Disk – intern
Kapazität: 250 GB
Hardwareverschlüsselung: Ja
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280 (M.2 2280)
Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Puffergröße: 512 MB
Merkmale: Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, DevSleep-Modus, Microsoft eDrive-kompatibel, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID-Modus-Unterstützung, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite:22.1 mm
Tiefe:80.3 mm
Höhe:1.52 mm

Leistung

Übertragungsrate Laufwerk: 600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz: 540 MBps (lesen)/ 500 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write: 89000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF:1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen: 1 x SATA 6 Gb/s – M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280 (M.2 2280)

Stromversorgung

Energieverbrauch: 50 mW (aktiv) ¦ 2.4 Watt (Durchschnitt) ¦ 3.7 Watt (Maximum) ¦ 2 mW (Sleep-Modus)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen:Samsung Magician Software, Samsung Data Migration

Herstellergarantie

Service & Support:Begrenzte Garantie – 5 Jahre

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur:0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb):1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls
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